BGA的誕生是為了迎合提升集成電路芯片的I/O接口的數(shù)量需求,已經(jīng)在高密度封裝大批量運用。和傳統(tǒng)微電子封裝技術相比較,BGA是采用合金焊料球替代引腳來實現(xiàn)信號傳輸,大大降低了電信號的傳輸損耗。不過高密度的集成也會帶來更高的使用溫度,對BGA的高溫老化可靠性增添了挑戰(zhàn)。在高溫作用下,焊點內部將持續(xù)產(chǎn)生熱應力,導致疲勞累積,最后可能造成焊點斷裂。
BGA焊點熱循環(huán)測試
眾所周知IMC的誕生是無鉛錫膏焊接無法避免的。由于IMC在老化過程的生長是決定焊點可靠性的關鍵因素,因此需要知道熱疲勞過程中的焊點微觀結構變化,進而推算出IMC對BGA焊點可靠的影響。
在剛完成焊接時焊點結構精細。在600次熱循環(huán)后,Pb進一步擴散到了BGA中,并且Pb晶粒開始粗化。此外,在完成1200次熱循環(huán)后,在BGA-芯片一側和BGA-PCB一側都可以清楚地看到由Pb晶粒進一步粗化并積聚形成網(wǎng)絡結構。
在熱循環(huán)3200次后,BGA-芯片一側大致分為了Ni區(qū),IMC(Cu,Ni)6Sn5區(qū),Sn區(qū)??梢杂^察到Sn區(qū)出現(xiàn)了晶粒粗化和再結晶現(xiàn)象。(Cu,Ni)6Sn5區(qū)則是出現(xiàn)了一定程度的位錯。另外,在BGA-PCB一側可以看到AC區(qū)和BC區(qū)的界面出現(xiàn)了較長的裂紋,并沿著的晶界向外擴展,形成穿晶裂紋。這為焊點連接處斷裂的出現(xiàn)帶來隱患。還可以看到有空洞的形成。在空洞和裂紋的共同作用下,該區(qū)域受到應力時將更容易出現(xiàn)斷裂。此外,BGA-PCB一側的D區(qū)會有晶粒錯位。
焊點斷裂分析
無鉛焊料BGA焊點,焊料層和焊盤等材料的熱膨脹系數(shù)不匹配是焊點熱老化失效的主要誘因。當元器件使用過程中產(chǎn)生熱應力,原材料的膨脹促使焊點內部和表層出現(xiàn)應力并逐步積累。Sn晶粒再結晶和(Cu,Ni)6Sn5的位錯能釋放部分應力。(Cu,Ni)6Sn5傾向擴散到芯片焊盤的Ni層并形成網(wǎng)格結構,也可以釋放應力??梢灾赖氖荖i層起到抑制原子擴散的作用,減緩IMC生長,從而減緩斷裂失效速度。而BGA-PCB界面處沒有Ni層的阻隔,Cu6Sn5生長速度更快,在應力作用下會出現(xiàn)穿晶裂痕。